6月17日音信，国度学问产权局信息贯通，合肥晶书籍成电路股份有限公司央求一项名为“晶圆键合瞄准抵偿作为、电子开垦和可读存储介质”的专利，授权公告号CN121793825B，授权公告日为2026年6月16日。央求公布号为CN121793825A，央求号为CN202610275407.8，央求公布日历为2026年6月16日，央求日历为2026年3月9日，发明东说念主伍德超、陈建松，专利代理机构上海想微学问产权代理事务所（无为合股），专利代理师宋艳，分类号H10W80/00。
专利选录贯通，本发明提供了一种晶圆键合瞄准抵偿作为、电子开垦和可读存储介质，2026年世界杯中国官网该作为包括：赢恰刻下键合晶圆对所对应的均在平日键合精度边界内的N组历史键合晶圆对瞄准偏差量测数据；针对每一组历史键合晶圆对瞄准偏差量测数据，字据该组历史键合晶圆对瞄准偏差量测数据所对应的键合温度、键合压力、键合时候以及量测时候，细目该组历史键合晶圆对瞄准偏差量测数据的抵偿权重；字据N组历史键合晶圆对瞄准偏差量测数据各自所对应的抵偿权重，对刻下键合晶圆对进行瞄准偏差抵偿。本发明不错有用保证晶圆键合瞄准抵偿的准确性，有用提高晶圆键合瞄准精度，培育产物合座一致性和坐褥良率。
晶书籍成开发于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券来往所上市，24直播网2026世界杯比赛直播注册地址与办公地址均触及安徽省合肥市。该公司是国内进步的12英寸晶圆代工企业，具备较强时间实力与边界上风，投资价值突显。
晶书籍成主要从事12英寸晶圆代工业务，专注研发并应用先进工艺，为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代做事事。所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造，触及MCU认识、MR头显、芯片认识等板块。
kaiyun开云体育世界杯中国网页版登录入口2025年，晶书籍成贸易收入为108.85亿元，在行业7家公司中名按次4，行业第又名中芯国外为673.23亿元，第二名华虹宏力为172.91亿元，行业平均数为166.12亿元，中位数为108.85亿元。主贸易务中，集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元，占比95.14%。净利润方面，2025年为4.66亿元，行业名次相同为第4，行业第又名中芯国外72.09亿元，第二名赛微电子13.88亿元，行业平均数为9.67亿元，中位数为4.66亿元。
合肥晶书籍成电路股份有限公司近期专利情况如下：
序号专利称呼专利类型法律情景央求号央求日历公开(公告)号公开(公告)日历发明东说念主1战争孔症结检测作为、装配、开垦、介质和要领产物发明专利公布CN202610694586.92026-05-20CN122218003A2026-06-16李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕2一种半导体开垦的参数化单位的选项的自动生成作为发明专利公布CN202610685344.32026-05-19CN122221790A2026-06-16前田圭司、伊藤真浩3一种半导体器件过火制备作为发明专利公布CN202610677493.52026-05-18CN122227654A2026-06-16姜恒、李毅、施平4检索模子的进修作为、检索作为和电子开垦发明专利公布CN202610674244.02026-05-15CN122198022A2026-06-12张潇、郭雅静、萧礼明、张贺、蒋治纬5LDMOS器件的阈值电压的APC作为、系统、介质及产物发明专利公布CN202610667846.32026-05-15CN122205903A2026-06-12陈晓妍、王梦慧6一种响应腔室的漏率监测作为、装配及半导体工艺开垦发明专利公布CN202610667786.52026-05-15CN122217543A2026-06-16王昆、周俊、刘志强、徐阳7一种半导体器件过火制作作为发明专利公布CN202610660032.72026-05-14CN122205918A2026-06-12韩小虎、邓少鹏8半导体疆土结构及双栅氧化层制备作为发明专利公布CN202610663071.22026-05-14CN122205953A2026-06-12徐锐、宋聪强9一种半导体器件过火制作作为发明专利公布CN202610659999.32026-05-14CN122205917A2026-06-12韩小虎、邓少鹏10芯片布局模子的进修作为、芯片布局作为及干系装配发明专利公布CN202610646614.X2026-05-12CN122174775A2026-06-09郭雅静、张潇、王人天翔、萧礼明、蒋治纬11半导体结构及制备作为发明专利公布CN202610644817.52026-05-12CN122180135A2026-06-09巫振伟、汪雪春12一种半导体器件的测试作为及测试装配发明专利公布CN202610644841.92026-05-12CN122193862A2026-06-12刘至宜、汪小小、陈帅、张慧玲13光阻层的变成作为及半导体结构发明专利公布CN202610637283.32026-05-11CN122161422A2026-06-05赵志豪、李海峰、沈俊明14半导体结构、栅极结构的制备作为及缩短症结的作为发明专利公布CN202610627967.52026-05-09CN122180129A2026-06-09张鑫、周晓慧、马亚强、陈学刚15半导体结构及制备作为发明专利公布CN202610602466.12026-05-06CN122138409A2026-06-02胡文婷、许春龙、陈婉露16用于工艺监测的要津尺寸条形结构及要津尺寸监测作为发明专利公布CN202610605065.12026-05-06CN122138671A2026-06-02黄周远、许春龙、孟娟17OPC模子的更正作为、系统及绸缪机可读存储介质发明专利骨子审查的收效、公布CN202610590152.42026-04-30CN122113466A2026-05-29王康、罗招龙18一种光刻套刻过错的抵偿作为、系统和开垦发明专利骨子审查的收效、公布CN202610588770.52026-04-30CN122110631A2026-05-29何赵鑫、黄胜19深湛孔制备作为及背照式图像传感器的制备作为发明专利骨子审查的收效、公布CN202610578907.92026-04-29CN122121294A2026-05-29郇小伟、金文祥、褚冉20一种掩膜疆土优化作为、开垦、存储介质及要领产物发明专利骨子审查的收效、公布CN202610570245.02026-04-28CN122110595A2026-05-29赵广、罗招龙、张国乾21缩短F离子注入在CIS产物上产生白像素的作为及系统发明专利骨子审查的收效、公布CN202610551158.02026-04-24CN122094205A2026-05-26吝辉辉、王曼真、郭瑞、姚智、李维泽22半导体结构过火制备作为发明专利骨子审查的收效、公布CN202610544911.32026-04-23CN122094153A2026-05-26王文智、王仲盛23半导体器件过火制造作为发明专利骨子审查的收效、公布CN202610525621.42026-04-21CN122069775A2026-05-19运广涛、邵章一又、苏圣哲、罗钦贤24静态存储器的最小使命电压的测度作为发明专利骨子审查的收效、公布CN202610525469.X2026-04-21CN122067580A2026-05-19田志锋、沈洁25一种SRAM集成电路结构、静态就地存取存储器过火制备作为发明专利骨子审查的收效、公布CN202610526758.12026-04-21CN122094097A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞26一种SRAM集成电路结构、静态就地存取存储器过火制备作为发明专利骨子审查的收效、公布CN202610526755.82026-04-21CN122094096A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞27一种半导体结构的制备作为发明专利骨子审查的收效、公布CN202610516789.92026-04-20CN122069999A2026-05-19张璐、高倩倩、朱鹏飞、谈胜福、游奕廷28一种战争孔过火变成作为发明专利骨子审查的收效、公布CN202610516915.02026-04-20CN122070006A2026-05-19贾涛、董宗谕、王佳佳29半导体结构的制作作为及半导体结构发明专利骨子审查的收效、公布CN202610508501.32026-04-17CN122069766A2026-05-19高佑琳、高志杰、盛云、王瑞30半导体结构过火制备作为发明专利骨子审查的收效、公布CN202610502429.32026-04-16CN122028719A2026-05-12李飞、董宗谕31半导体器件过火制作作为发明专利骨子审查的收效、公布CN202610500449.72026-04-16CN122028718A2026-05-12李飞、董宗谕32一种半导体结构过火制造作为发明专利骨子审查的收效、公布CN202610491922.X2026-04-15CN122054986A2026-05-15陈东、王晓娟、韩领、康绍磊33半导体结构过火制备作为发明专利骨子审查的收效、公布CN202610479111.82026-04-13CN122028725A2026-05-12宋富冉、刘乃硕34光学周边效应修正模子的更正作为及数据集聚作为发明专利骨子审查的收效、公布CN202610476328.32026-04-13CN122018227A2026-05-12王康、罗招龙35电性测试结构过火测试作为发明专利骨子审查的收效、公布CN202610476299.02026-04-13CN122028713A2026-05-12刘站峰、汪小小、马婷、陈信全、张曼36伽马电阻的阻值波动的监控作为发明专利骨子审查的收效、公布CN202610475623.72026-04-13CN122028712A2026-05-12李健、邵迎亚、汪雪春37一种半导体芯片的疆土想象作为及疆土想象系统发明专利骨子审查的收效、公布CN202610475734.82026-04-13CN122047157A2026-05-15杨杰、郭哲劭、郭廷晃38黄光制程曝光能量细目作为、电子开垦和存储介质发明专利骨子审查的收效、公布CN202610466856.02026-04-10CN121995712A2026-05-08胡玉明39一种半导体结构的制备作为和半导体结构发明专利骨子审查的收效、公布CN202610466026.82026-04-10CN122003143A2026-05-08李雯琴、王文轩40一种化学气相千里积开垦过火温度限度作为发明专利骨子审查的收效、公布CN202610468112.22026-04-10CN122013156A2026-05-12黄看看、王松、周丹玫、胡万春41晶体管结构过火制备作为发明专利骨子审查的收效、公布CN202610468691.02026-04-10CN122121263A2026-05-29张帅博、郭廷晃42铝衬垫制备作为及半导体发明专利骨子审查的收效、公布CN202610460164.52026-04-09CN121985860A2026-05-05张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕43一种去除自瞄准硅化物中未响应镍铂合金的作为发明专利骨子审查的收效、公布CN202610458132.12026-04-09CN121985755A2026-05-05曹平、刘苏涛44半导体器件的症结测试作为和半导体器件发明专利骨子审查的收效、公布CN202610460537.92026-04-09CN122003137A2026-05-08董琳、王仲盛、毛辰辰、姜攀45半导体结构、制备作为、键合作为及半导体器件发明专利骨子审查的收效、公布CN202610449908.32026-04-08CN121985808A2026-05-05伍德超、郝小强、梁健46套刻秀美结构过火制造作为、套刻秀美尺寸遴荐作为发明专利骨子审查的收效、公布CN202610442492.22026-04-07CN121978874A2026-05-05刘华龙、张祥平47半浮栅晶体管过火制备作为、包含其的存储器件发明专利骨子审查的收效、公布CN202610432589.52026-04-03CN121968657A2026-05-01李猛猛48LDMOS器件过火制备作为发明专利骨子审查的收效、公布CN202610433072.82026-04-03CN121968623A2026-05-01刘东山、吴其洪49半导体结构制备作为及半导体结构发明专利骨子审查的收效、公布CN202610435065.12026-04-03CN121985805A2026-05-05王文智50电容结构过火制造作为发明专利骨子审查的收效、公布CN202610436485.12026-04-03CN121985540A2026-05-05刘晨曦、蔡承佑、丁好意思平、陆莹莹、周迪24直播网2026世界杯赛事直播入口